Об акцепторно-донорных свойствах дислокаций в полупроводниках $p$-типа

Ю. В. Шикина, В. Б. Шикин

Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, г. Черноголовка, Моск. обл.

Аннотация: Предложена модель дислокационного спектра электронов, объясняющая влияние дислокаций на свойства полупроводников $p$-типа. Модель содержит четыре параметра: положения акцепторного $E_{a}$ и донорного $E_{d}$ уровней в запрещенной зоне полупроводника, а также их емкости $C_{a}$ и $C_{d}$. Дано обоснование использования этих параметров и определены с помощью имеющихся экспериментов их значения для деформированного $p$-германия.

Поступила в редакцию: 02.10.1991
Принята в печать: 26.11.1991