Дислокации в AlGaAs/GaAs-сверхрешетке

И. А. Трусова, М. Е. Поляков

Белорусский политехнический институт

Аннотация: В гетероструктуре AlGaAs/GaAs с большим числом слоев сверхрешетки рассчитанные остаточные напряжения без учета дислокаций превышают предел текучести, что свидетельствует о введении дислокаций несоответствия при охлаждении совпадающих при температуре эпитаксии постоянных решетки слоев.
В приближениях одиночного слоя и многих слоев исследованы критические толщины нарощенных слоев без учета взаимодействия дислокаций, с учетом взаимодействия диполей дислокации и мультипольным взаимодействием. Показано, что слои с критическими толщинами растут с учетом числа взаимодействия дислокаций. Этот результат объясняется ростом работы, затрачиваемой на взаимодействие дислокаций. Значительного различия в значениях критических толщин для случаев дипольного и мультипольного взаимодействий не обнаружено в противовес случаю отсутствия взаимодействия дислокаций.
Исследованы критические толщины для мультипольного и многослойного случая без учета равновесного скольжения. В этом случае отмечено пороговое число слоев, с превышением которого вводятся дислокации.

Поступила в редакцию: 09.09.1991
Принята в печать: 26.11.1991