Процессы токопереноса в гетероструктуре In$_{2}$O$_{3}{-}$ZnSe$-$In с субмикронным слоем селенида цинка

А. П. Беляев, В. П. Рубец, Х. А. Тошходжаев

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)

Аннотация: Сообщается о результатах исследования ВАХ структуры In$_{2}$O$_{3}{-}$ZnSe$-$In с субмикронным слоем селенида цинка. Структура выращивалась на стеклянной подложке методом термического распыления в вакууме. Ее удельное сопротивление зависело от направления тока. ВАХ измерялись в диапазоне напряжений от 50 мВ до 10 В.
Показано, что: 1) внутри слоя селенида цинка существует внутреннее диффузионное поле, направленное от индиевого электрода к слою оксида индия; 2) работа выхода электрона из слоя оксида индия выше, чем из индиевого электрода; 3) проводимость структуры определяется соотношением работ выхода из оксида индия, индия и сродством к электрону селенида цинка.
Рассчитан ряд электрофизических характеристик структуры.

Поступила в редакцию: 27.09.1991
Принята в печать: 04.01.1992