Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольт-фарадные характеристики барьерной структуры

Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Построена теория, учитывающая заряженные дефекты, локализованные на гетерогранице. Показано, что на вольт-фарадной характеристике барьерной структуры с гетеропереходом появляются особенности, позволяющие определить разрыв зоны проводимости и концентрацию заряженных дефектов на гетерогранице. Проведено сравнение теоретической и экспериментальной характеристик.

Поступила в редакцию: 02.12.1991
Принята в печать: 28.12.1991