Электрические свойства контакта модифицированный$-$немодифицированный стеклообразный As$_{2}$Se$_{3}$

В. Л. Аверьянов, Т. К. Звонарева, В. М. Любин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы темновые вольт-амперные характеристики пленочных структур типа Al$-$As$_{2}$Se$_{3}\langle\text{Ni}\rangle{-}$As$_{2}$Se$_{3}{-}$Al, содержащих гетеропереход между модифицированным и немодифицированным стеклообразным As$_{2}$Se$_{3}$. Показано, что в отличие от большинства изученных контактов стеклообразного As$_{2}$Se$_{3}$ с другими прослойками в немодифицированном слое As$_{2}$Se$_{3}$ в данной структуре возникает область обогащения носителями заряда, имеющая ширину ${1.5\div2}$ мкм, что обеспечивает низкоомность структуры.

Поступила в редакцию: 12.11.1991
Принята в печать: 28.12.1991