RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 5, страницы 888–895 (Mi phts4683)

Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te (${x=0.2}$), облученном электронами

Н. Б. Брандт, Е. П. Скипетров, А. Г. Хорош

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы гальваномагнитные эффекты в сплаве $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te (${x=0.2}$), облученном электронами (${T\approx300}$ K, ${E=6}$ МэВ, ${\Phi\leqslant3.35\cdot10^{17}\,\text{см}^{-2}}$), в интервале давлений ${P\leqslant18}$ кбар. В облученных образцах обнаружено увеличение концентрации дырок под действием давления, связанное с движением энергетических зон в точке $L$ зоны Бриллюэна и перетеканием электронов из валентной зоны в зону резонансных состояний, индуцированную электронным облучением. Полученные в работе зависимости концентрации дырок от давления использованы для выбора модели и определения параметров модели энергетического спектра облученного электронами сплава $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te (${x=0.2}$). В рамках предложенной модели проведены расчеты, позволяющие прогнозировать поведение электрофизических параметров сплава при облучении, и предсказано возникновение протяженного диэлектрического состояния при глубоком облучении электронами.

Поступила в редакцию: 10.12.1991
Принята в печать: 26.12.1991



© МИАН, 2026