Низкотемпературная электропроводность ионно-имплантированного фосфором и сурьмой кремния

В. В. Абрамов, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, А. Б. Тимофеев, А. Г. Ульяшин

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Измерена электропроводность сильно легированных с помощью ионной имплантации Si$\langle\text{P}\rangle$, Si$\langle\text{Sb}\rangle$, Si$\langle\text{Sb\,+\,P}\rangle$ в области температур ${4.2\leqslant T\leqslant 300}$ K. Результаты интерпретируются в рамках модели, учитывающей возможную энергетическую зависимость плотности делокализованных состояний в примесной зоне.

Поступила в редакцию: 21.10.1991
Принята в печать: 26.12.1991