RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 2061–2064 (Mi phts468)

Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо легированным гетеропереходом

Б. Л. Гельмонт, В. А. Елюхин, Г. Г. Зегря, Е. Л. Портной, М. К. Эбаноидзе


Аннотация: Решена задача о величине тока, при которой достигается инверсная заселенность в гетеропереходе с широкозонной $p$-областью. В условиях суперинжекции, при которой достигается инверсная заселенность, электрон-дырочная плазма в узкозонной $n$-области квазинейтральна. Энергетический барьер для электронов настолько высок, что ток через границу переносится практически только дырками. Для случая сильной инжекции получена связь между величиной тока, протекающего через переход, и концентрацией носителей, при которой достигается инверсная заселенность. Показано, что при больших уровнях инжекции бимолекулярная рекомбинация преобладает над мономолекулярной. Экспериментально изучены как структуры с одним гетеропереходом (без активной области), так и структуры, содержащие активную область. Получено хорошее согласие теории с экспериментом.



© МИАН, 2026