Влияние примеси индия на электрофизические свойства Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te при ${x>0.3}$

К. И. Андроник, М. П. Бойко, А. В. Никорич

Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев

Аннотация: На серии монокристаллических образцов (Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$)$_{0.99}$ln$_{0.01}$Te (${0.3<x<1}$) проведены фотоэлектрические измерения в области гелиевых температур и гальваномагнитные в диапазоне (${4.2\div300}$) K. В сплавах с ${x= 0.31}$, 0.35, 0.40 при ${T<20}$ K обнаружено явление долговременной релаксации неравновесных носителей. В сплаве с ${x=0.6}$ долговременной релаксации не обнаружено, однако кинетические характеристики свидетельствуют о слабом влиянии индия на процессы рассеяния. В Sn$_{0.99}$In$_{0.01}$Te рассеяние на атомах индия становится доминирующим при низких температурах. Построена зависимость уровня стабилизации химического потенциала от состава сплава.

Поступила в редакцию: 18.04.1991
Принята в печать: 23.10.1991