Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний$-$германий

Н. Т. Баграев, Р. М. Мирсаатов, И. С. Половцев, У. Сирожов, А. Юсупов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обнаружено тушение фотопроводимости в твердых растворах кремний$-$германий $n$- и $p$-типа, легированных цинком. Полученные результаты объясняются с помощью модели метастабильного глубокого центра, в рамках которой термическая и оптическая перезарядка дефекта сопровождается его туннелированием между позициями различной симметрии. Показано, что самокомпенсация одиночных центров цинка усиливается при увеличении процентного содержания германия в твердых растворах SiGe.

Поступила в редакцию: 06.08.1991
Принята в печать: 22.10.1991