О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 K

С. А. Охонин, А. А. Французов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследована ионизация примесей в подложке МОП транзистора, приводящая к формированию области пространственного заряда при температуре 4.2 K.
Показано, что при малых напряжениях на стоке существует механизм образования области пространственного заряда, не связанный с ударной ионизацией примесей.

Поступила в редакцию: 19.06.1991
Принята в печать: 23.10.1991