Механизм снижения плотности дислокаций при изовалентном легировании полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

М. Ю. Мартисов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследован механизм снижения плотности дислокаций при изовалентном легировании полупроводниковых соединений $A^{\text{III}}$$B^{V}$ и показано, что в изовалентно легированных слоях дислокации могут выходить за пределы образца. Получено выражение для вероятности выхода дислокации за пределы образца и показано, что данный технологический прием эффективен при малой плотности дислокаций $(N_d 10^4$ см$^{-2}
$$A^{\text{III}}B^{\text{V}}/A^{\text{III}}B^{\text{V}})$ и неэффективен при большой плотности дислокация $(N_d~10^6-10^8$ см$^{-2}$$
A^{III}B^{V}/Si)$.

Поступила в редакцию: 02.07.1991
Принята в печать: 14.11.1991