RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 2052–2060 (Mi phts467)

Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния II.  Гальваномагнитные свойства и неоднородности

А. Г. Забродский, В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, Е. С. Юрова, В. В. Федоров, М. С. Саидов, А. Юсупов, И. Г. Атабаев


Аннотация: Исследованы холловская подвижность, продольное и поперечное магнитосопротивление в области $\varepsilon_{1$-проводи}мости, обусловленной термической ионизацией основной примеси галлия в нейтронно-легированном твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ (${0.8\leqslant x\leqslant18}$ ат%). Изучены неоднородности легирования и состава твердого раствора и их влияние на гальваномагнитные свойства.



© МИАН, 2026