Физика и техника полупроводников,
1986, том 20, выпуск 11,страницы 2052–2060(Mi phts467)
Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge
в области составов со стороны кремния
II. Гальваномагнитные свойства и неоднородности
Аннотация:
Исследованы холловская подвижность, продольное и поперечное
магнитосопротивление в области $\varepsilon_{1$-проводи}мости,
обусловленной термической ионизацией основной примеси галлия
в нейтронно-легированном твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
(${0.8\leqslant x\leqslant18}$ ат%). Изучены неоднородности
легирования и состава твердого раствора и их влияние на гальваномагнитные
свойства.