Электронная $2D{-}3D$-система — квантовый диод. I. Общие свойства

В. И. Кадушкин, С. И. Фомичев

Рязанский государственный радиотехнический университет

Аннотация: Экспериментально исследована стационарная ЭДС, возникающая в системе вырожденных $2D{-}3D$-электронов при возбуждении внешним переменным электрическим полем. Обращено внимание на то, что эта ЭДС имеет два компонента, один из которых уже имеется в отсутствие магнитного поля, а второй имеет осциллирующую зависимость от магнитного поля. Показано, что последний по природе одинаков с осцилляциями поперечного магнитосопротивления. Изучено влияние на стационарную ЭДС величины возбуждаемого сигнала и частоты (до 400 МГц). Измерения амплитудных характеристик эффекта обнаружили их пороговый характер. Совокупность данных позволила сделать вывод, что эффект обусловлен детектированием внешнего сигнала барьерным слоем в системе вырожденных $2D{-}3D$-электронов. Наблюдаемые явления можно объяснить нелинейностью и асимметрией ВАХ двойной диодной системы, образованной объемными и двумерными электронами.

Поступила в редакцию: 04.02.1991
Принята в печать: 24.10.1991