Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства $p$-CdTe

А. Байдуллаева^a, Б. М. Булах, Б. К. Даулетмуратов^a, Б. Р. Джумаев^a, Н. Е. Корсунская^a, П. Е. Мозоль^a, Г. Гарягдыев<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследовано влияние наносекундных импульсов излучения рубинового лазера с плотностью мощности ниже порогов плавления, возгонки и разрушения на плотность дислокаций, электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов $p$-CdTe. Показано, что уменьшение проводимости кристаллов после лазерного облучения сопровождается уменьшением величины фототока и интенсивности фотолюминесценции и обусловлено размножениями дислокаций и стеканием на них акцепторов Li$_{\text{Cd}}$ и Na$_{\text{Cd}}$ из объема.

Поступила в редакцию: 30.08.1991
Принята в печать: 23.10.1991