RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 2042–2051 (Mi phts466)

Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния I.  Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость

А. Г. Забродский, В. А. Евсеев, Р. Ф. Коноплева, В. А. Чеканов, Е. С. Юрова, В. В. Федоров, М. С. Саидов, А. Юсупов, И. Г. Атабаев


Аннотация: Проведено нейтронное легирование твердых растворов Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ (${0.8\leqslant x\leqslant18}$ ат%) различными флюенсами замедленных реакторных нейтронов. Исследовано влияние состава твердых растворов на степень компенсации трансмутационных примесей, термическую энергию активации $\varepsilon_{1}$-проводимости и энергию ионизации изолированной примеси галлия.



© МИАН, 2026