Физика и техника полупроводников,
1986, том 20, выпуск 11,страницы 2042–2051(Mi phts466)
Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава
Si$-$Ge в области составов со стороны кремния
I. Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость
Аннотация:
Проведено нейтронное легирование твердых растворов Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
(${0.8\leqslant x\leqslant18}$ ат%) различными флюенсами замедленных
реакторных нейтронов. Исследовано влияние состава твердых растворов на степень
компенсации трансмутационных примесей, термическую энергию активации
$\varepsilon_{1}$-проводимости и энергию ионизации
изолированной примеси галлия.