О влиянии неоднородности поглощения сигнального излучения на частотную характеристику высокоомного примесного фоторезистора

И. К. Блохин, В. А. Холоднов

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)

Аннотация: Рассчитана и проанализирована зависимость фототока высокоомного примесного фоторезистора (ФР) от частоты модуляции неоднородно поглощаемого сигнального излучения. Показано, что частотная характеристика ФР зависит как от направления оптической засветки ФР, так и от полярности напряжения смещения. Дано физическое обоснование полученных результатов.

Поступила в редакцию: 26.09.1991
Принята в печать: 05.12.1991