Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP

О. Б. Гусев, М. С. Бреслер, Н. В. Зотова, Н. М. Стусь

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: При исследовании гетероструктур в системе InAs/InAsSbP обнаружен переход от гетероструктур первого к гетероструктурам второго типа. Построена фазовая диаграмма состояний гетеропереходов этой системы, определяющая области реализации структур первого и второго типов в зависимости от состава четверного раствора. Исследование фотолюминесценции подтверждает существование двух типов гетероструктур. Наблюдалось стимулированное излучение на гетерогранице второго типа.

Поступила в редакцию: 28.11.1991
Принята в печать: 04.12.1991