RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 4, страницы 703–709 (Mi phts4649)

Изотермические и термоактивационные токи в монокристаллах CaGa$_{2}$S$_{4}$ : Eu

Г. К. Асланов, О. Б. Тагиев, Б. М. Иззатов

Институт физики НАН Азербайджана

Аннотация: Монокристаллы CaGa$_{2}$S$_{4}$ : Eu с удельным сопротивлением ${10^{10}\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$ и шириной запрещенной зоны ${E_{g}=2.8}$ эВ получены методом химических транспортных реакций.
Исследованы релаксации темнового тока, температурной зависимости электропроводности и токов термостимулированной деполяризации в широком интервале температур (${100\div400}$ K) и электрических полей (до ${\sim10^{4}}$ В/см). Экспериментальные результаты по исследованию релаксации темнового тока объяснены на основе эстафетного механизма переноса инжектированного в кристалл заряда. Определены значения “тока отсечки” ${I_{0}=8.2\cdot 10^{-11}}$ А, “заряда отсечки” ${Q_{0}=1.55\cdot10^{-9}}$ Кл, емкость контакта ${C_{k}=7.75\cdot 10^{-12}}$ Ф, область сосредоточения заряда ${d_{k}=9.14\cdot10^{-6}}$ см, подвижность носителей заряда по локализованным состояниям ${\mu=3.6\cdot10^{-4}\,\text{см}/\text{В}\cdot\text{с}}$, концентрация ловушек ${N_{t}= 8.1\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$. На основе комплексных исследований определена энергия активации (${E_{t1}=0.2}$, ${E_{t2}=0.4}$ эВ) центров захвата.

Поступила в редакцию: 15.08.1991
Принята в печать: 15.11.1991



© МИАН, 2026