Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si $\langle\text{Ge, O}\rangle$

Д. И. Бринкевич, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, В. В. Петров

Белорусский государственный университет им. В. И. Ленина

Аннотация: Методом измерения эффекта Холла исследованы процессы образования термодоноров (ТД) при $427^{\circ}$C в кристаллах Si $\langle\text{O}\rangle$ и Si$\langle\text{Ge,\,O}\rangle$ с концентрацией кислорода и германия ${8.0\cdot10^{17}}$ и ${1.2\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$ соответственно. Установлено, что подавление генерации ТД в Si $\langle\text{Ge,\,O}\rangle$ обусловлено увеличением характеристического времени образования как центров зарождения, так и ТД первых типов. Показано, что указанный эффект определяется уменьшением радиусов захвата подвижных частиц (атомов кислорода) данными комплексами. Экспериментальные результаты интерпретированы с учетом наличия в кристаллах Si $\langle\text{Ge,\,O}\rangle$ внутренних деформационных полей, создаваемых атомами изовалентной примеси.

Поступила в редакцию: 15.10.1991
Принята в печать: 04.11.1991