Тонкая структуры $A$-линии связанного экситона в твердом растворе GaAs$_{x}$P$_{1-x}:{}$N

Г. Ф. Глинский, М. В. Лупал, И. И. Парфенова, А. Н. Пихтин

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Исследовано оптическое поглощение в области $A$-линии связанного экситона в GaAs$_{x}$P$_{1-x}$, легированном азотом. Обнаружена тонкая структура этой линии, обусловленная флуктуациями состава. В предложенной теоретической модели предполагается, что сначала формируется свободный экситон, который затем связывается на $\delta$-образном потенциале изоэлектронной ловушки как единое целое. Наблюдается хорошее согласие расчетных и экспериментальных данных.

Поступила в редакцию: 17.10.1991
Принята в печать: 31.10.1991