“Эффекты фононного узкого горла” при разогреве носителей заряда в полупроводниковых микроструктурах

В. Д. Пищалко, В. И. Толстихин

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Аннотация: Построена и исследована теоретическая модель разогрева электронов в AlGaAs/GaAs селективно легированной гетероструктуре с локализованным проводящим каналом при неравновесности фононов и пространственной развязке ввода и вывода энергии в образце. Показано, что последнее обстоятельство оказывает определяющее влияние на транспортные характеристики электронов в канале при условиях фононного узкого горла.

Поступила в редакцию: 17.06.1991
Принята в печать: 23.10.1991