Краткие сообщения

Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K

В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Поступила в редакцию: 18.10.1991
Принята в печать: 31.10.1991