“Энергетическая квазибаллистика” в микроструктурах с двумерным электронным газом

Ю. В. Дубровский, И. А. Ларкин, С. В. Морозов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Аннотация: Обнаружено нелинейное поведение дифференциальной проводимости короткоканального (длина канала меньше длины энергетической релаксации электронов) гетероструктурного полевого транзистора при тянущих напряжениях порядка энергии оптического фонона. В магнитном поле, удовлетворяющем условию ${\omega_{c}\tau_{p}\approx1}$, происходит качественное изменение наблюдаемых нелинейностей ($\omega_{c}$ — циклотронная частота, $\tau_{p}$ — время релаксации импульса электронов). Результаты интерпретируются в рамках модели “энергетической квазибаллистики”.

Поступила в редакцию: 08.07.1991
Принята в печать: 23.10.1991