Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с квантовыми ямами

В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, Т. С. Кунцевич, И. Г. Малкина, Т. Н. Янькова

Научно-производственное объединение „Орион", г. Москва

Аннотация: В напряженных квантовых ямах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных на GaAs-подложке, экспериментально обнаружено поглощение ИК излучения, обусловленное переходами электронов между подзонами размерного квантования в зоне проводимости. Наблюдалась сильная зависимость поглощения от поляризации излучения. Измерения проводились в геометрии многократного внутреннего отражения. Длины волн, соответствующие максимумам поглощения, лежат в интервале от 11.5 до 13.5 мкм. Их положение объяснено в рамках модели Кейна с учетом нерезкости гетеропереходов.

Поступила в редакцию: 12.05.1991
Принята в печать: 23.10.1991