Усиление фотоплеохроизма в структурах $n{-}p$-CdSiAs$_{2}{-}n$-In$_{2}$O$_{3}$

В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, М. Сергинов

Научно-производственное объединение „Орион", г. Москва

Аннотация: На основе ориентированных монокристаллов $p$-CdSiAs$_{2}$ созданы структуры, включающие в себя гомопереход $n{-}p$-CdSiAs$_{2}$ и гетеропереход $p$-CdSiAs$_{2}{-}n$-In$_{2}$O$_{3}$. Электрические поля в указанных барьерах имеют встречное направление, что приводит к инверсии знака фототока в зависимости от энергии фотонов и положения плоскости поляризации. Обнаружено явление усиления естественного фотоплеохроизма ${\mathcal{P}_{i}>100}$ %, которое наблюдается в окрестности поляризационной инверсии знака фототока.

Поступила в редакцию: 20.08.1991
Принята в печать: 22.10.1991