Распределение концентрации мелких и глубоких заряженных центров в ионно-легированных бериллием слоях фосфида индия

А. А. Абрамов, Л. П. Захарикова, А. В. Микуленок, И. Г. Стоянова

Научно-производственное объединение „Орион", г. Москва

Аннотация: С помощью метода измерений вольт-фарадных характеристик барьера электролит$-$полупроводник исследовано распределение носителей заряда в ионно-легированных бериллием слоях фосфида индия. Показано, что метод может быть использован для контроля распределения в слое заряженных ловушек, связанных с радиационными дефектами имплантации. Определены условия, при которых метод позволяет корректно определить распределение концентрации свободных носителей заряда, обусловленных активацией примеси Be. Исследовано поведение Be при различных условиях постимплантационного обычного и быстрого термических отжигов. Отмечается существенное влияние диффузионных процессов при обычном отжиге на распределение свободных дырок в ионно-легированном слое.

Поступила в редакцию: 16.08.1991
Принята в печать: 22.10.1991