Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции

Н. Т. Баграев, Р. М. Мирсаатов, И. С. Половцев, А. Юсупов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обнаружены взаимосвязанные эффекты тушения и регенерации фотопроводимости в кремнии $n$- и $p$-типа, легированном цинком. Полученные результаты объясняются в рамках модели глубокого дефекта с немонотонной зависимостью константы электрон-колебательного взаимодействия от числа электронов на центре. Показано, что тушение и регенерация фотопроводимости обусловлены долговременными процессами перезарядки двойного акцептора цинка, сопровождающимися его туннелированием между позициями разной симметрии в решетке кремния. Определена роль эффекта Штарка в динамике туннелирования изолированного центра цинка, которая управляет рекомбинацией неравновесных носителей в монокристаллах кремния.

Поступила в редакцию: 06.08.1991
Принята в печать: 22.10.1991