Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур

В. К. Еремин, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены исследования планарных DLTS-структур на основе высокоомного $n$-кремния. Установлено появление ложных пиков DLTS, не связанных с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводника.

Поступила в редакцию: 26.07.1991
Принята в печать: 22.10.1991