Термоэдс в полупроводниковых субмикронных пленках

Г. Н. Логвинов

Тернопольский педагогический институт

Аннотация: В полупроводниковом образце субмикронных размеров, включенном в замкнутую электрическую цепь, в приближении электронной температуры рассчитана термоэдс. Проанализированы механизмы ее возникновения, сводящиеся к созданию энергетической неоднородности, вызванной энергетическим баллистическим пролетом электронов в объеме и поверхностными термоэдс в контактах. Рассмотрены режимы холостого хода и короткого замыкания.

Поступила в редакцию: 19.06.1991
Принята в печать: 22.10.1991