Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже $550^{\circ}$C в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского

В. М. Бабич^a, Н. П. Баран^a, Ю. П. Доценко^a, К. И. Зотов^a, В. Б. Ковальчук^a, В. М. Максименко

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: С помощью эффекта Холла и метода ЭПР исследованы особенности процесса образования и свойства донорных центров (термодоноров), образованных в результате длительных (до 500 ч) отжигов в интервале температур ${450\div550}^{\circ}$C кристаллов $n$-Si$\langle\text{P}\rangle$ с различным содержанием примеси углерода, выращенных по методу Чохральского.
Установлено, что после длительных отжигов происходит разрушение семейства двухзарядных термодоноров с уровнями ${E_{1}=60\div70}$ и ${E_{2}=120\div150}$ мэВ, но одновременно с этим образуется два набора мелких однозарядных доноров иной природы, глубина уровней которых лежит в интервале ${E_{i}=24\div38}$ мэВ. В работе предполагается возможная природа этих центров.

Поступила в редакцию: 10.09.1991
Принята в печать: 22.10.1991