Прыжковая проводимость ${K=0.3}$-серии образцов Ge : Ga : эффект насыщения, перскоки по ближайшим соседям и переход к прыжкам с переменной длиной

А. Г. Забродский, А. Г. Андреев, М. В. Алексеенко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На серии образцов нейтронно легированного Ge : Ga с компенсацией ${K=0.3}$ и содержанием $N$ основной примеси Ga от $3.6\cdot10^{14}$ см$^{-3}$ до концентрации ${N_{c}=2\cdot10^{17}}$см$^{-3}$, соответствующей переходу металл$-$изолятор, в области гелиевых температур описываются и изучаются: эффект насыщения прыжковой проводимости; закономерности режима перескоков по ближайшим состояниям и переход от него к режиму прыжков с переменной длиной, стимулируемый понижением температуры и увеличением уровня легирования. Область существования последнего из режимов оказывается существенно шире, чем считалось ранее, вплоть до границы слабого легирования ${N_{l}=2\cdot10^{15}}$ см$^{-3}$ при гелиевых температурах. Находят свое объяснение известные аномалии поведения энергии активации прыжковой проводимости и ее предэкспоненциального множителя в исследуемом материале.

Поступила в редакцию: 01.10.1991
Принята в печать: 03.10.1991