Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке $p$-InSb

В. И. Иванов-Омский^a, В. А. Смирнов^a, Ш. У. Юлдашев^a, О. А. Гадаев^a, Р. А. Стрэдлинг^b, И. Фергюсон<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Imperial College London

Аннотация: Исследовалась низкотемпературная магнитофотолюминесценция структуры, состоящей из эпитаксиальной пленки нелегированного InSb толщиной 5 мкм на квазиполуизолирующей подложке $p$-InSb с ${p=7\cdot10^{12}}$ см$^{-3}$.
В спектре фотолюминесценции (ФЛ) структуры наблюдались полосы излучения, обусловленные межзонной и примесной рекомбинацией носителей в эпитаксиальной пленке. В магнитном поле в спектре ФЛ структуры появляются полосы излучения, обусловленные рекомбинацией свободных диамагнитных экситонов.
По зависимости полуширины полосы излучения связанных экситонов в спектре ФЛ квазиполуизолирующей подложки от температуры оцениваются концентрации акцепторов (${N_{A}=4\cdot10^{13}}$ см$^{-3}$) и степень компенсации (${K=0.8}$).

Поступила в редакцию: 01.10.1991
Принята в печать: 03.10.1991