Краткие сообщения

Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении

А. Г. Дмитриев, В. А. Дорин, Р. Карфул, М. А. Погарский, М. И. Шульга

Санкт-Петербургский государственный технический университет

Поступила в редакцию: 01.10.1991
Принята в печать: 03.10.1991