Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия)

В. П. Кладько, Т. Г. Крыштаб, Ю. С. Клейнфельд, Г. Н. Семёнова, Л. С. Хазан

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследовалось влияние различных механических способов утоньшения подложки на структурное совершенство и спектры низкотемпературной фотолюминесценции эцитаксиальных слоев $n$-GaAs$\langle\text{S}\rangle$. Показано, что в результате утоньшения методом шлифовки происходят гашение экситонной полосы 1.515 эВ и возгорание полосы 1.409 эВ, связанной с рекомбинацией на комплексах дефектов, в том числе и дислокационной природы. Предлагается дислокационная модель “эффекта дальнодействия”.

Поступила в редакцию: 17.09.1991
Принята в печать: 01.10.1991