Приграничные состояния в ограниченных полупроводниковых структурах с инвертированными зонами

Б. Г. Идлис, М. Ш. Усманов

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: На примере прямоугольной квантовой ямы конечных размеров с произвольными барьерами, образованной узкощелевыми полупроводниками с взаимно инвертированными зонами, изучены спектр пограничных состояний и правила отбора для оптических и магнитооптических переходов. При учете конечных размеров структуры спектр этих состояний становится щелевым, причем электронная и дырочная ветви спектра двукратно вырождены и отщепляются соответственно от верхней и нижней зон объемных состояний.

Поступила в редакцию: 10.07.1991
Принята в печать: 21.08.1991