RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 2, страницы 318–323 (Mi phts4588)

Температурная зависимость энергии связи экситонов Ваннье$-$Мотта в квантовых ямах

В. Я. Алешкин, А. А. Костин, Ю. А. Романов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически исследована зависимость энергии связи экситонов от температуры в гетероструктурах с квантовыми ямами. Показано, что при понижении температуры энергия связи экситонов в квантовых ямах может значительно уменьшаться из-за убывания длины экранирования. Приведены результаты численных расчетов температурной зависимости энергии связи экситонов для гетероструктур AlAs$-$GaAs и In$_{0.35}$Ga$_{0.65}$As$-$GaAs.

Поступила в редакцию: 11.06.1991
Принята в печать: 21.08.1991



© МИАН, 2026