Аннотация:
Теоретически исследована зависимость энергии связи экситонов от температуры в гетероструктурах с квантовыми ямами. Показано, что
при понижении температуры энергия связи экситонов в квантовых ямах может значительно уменьшаться из-за убывания длины экранирования. Приведены результаты численных расчетов температурной зависимости энергии связи экситонов для гетероструктур AlAs$-$GaAs и In$_{0.35}$Ga$_{0.65}$As$-$GaAs.
Поступила в редакцию: 11.06.1991 Принята в печать: 21.08.1991