О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния

А. О. Константинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведен анализ типа точечных дефектов, присутствующих в карбиде кремния при температурах выращивания и взаимодействующих с основными акцепторными примесями — бором и алюминием. Для идентификации типа дефектов смоделирован, процесс инжекции неравновесных точечных дефектов при диффузии примесей. Показано, что имеющиеся экспериментальные результаты согласуются с межузельной моделью диффузии и не согласуются с вакансионной. Взаимодействующие с бором и алюминием точечные дефекты являются дефектами кремниевой подрешетки, имеющими межузельную природу. Это либо межузельный кремний, либо антиструктурные дефекты типа кремний в углеродных узлах. Сделаны оценки коэффициента самодиффузии кремния в SiC. Оказывается, что значения коэффициентов самодиффузии кремния, согласующиеся с данными по диффузии примесей, на 3 порядка ниже, чем результаты изотопных экспериментов по исследованию самодиффузии.

Поступила в редакцию: 22.07.1991
Принята в печать: 24.07.1991