RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 2, страницы 264–269 (Mi phts4581)

Характер изменения свойств PbTe$\langle{\text{Ga}}\rangle$ при изменении степени легирования

С. А. Белоконь, Л. Н. Верещагина, И. И. Иванчик, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Представлены результаты измерения удельного сопротивления и коэффициента Холла в PbTe$\langle{\text{Ga}}\rangle$ в диапазоне температур ${4.2\div300}$ K при изменении степени легирования $N_{\text{Ga}}$ в пределах (${0.1\div1}$) ат % в условиях темноты и контролируемой ИК подсветки. Обнаружены существенные различия в характере гальваномагнитных свойств и реакции на ИК подсветку образцов $p$-типа с ${N_{\text{Ga}}<0.4}$ ат % и $n$-типа с ${N_{\text{Ga}}>0.4}$ ат %. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели, учитывающей неоднородность степени легирования по объему кристалла и эффект стабилизации уровня Ферми в определенном диапазоне $N_{\text{Ga}}$.

Поступила в редакцию: 10.06.1991
Принята в печать: 24.07.1991



© МИАН, 2026