Аннотация:
Исследованы осцилляции Шубникова–де-Гааза поперечного
магнитосопротивления на кристаллах Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Se
(${x=0.0003}$, 0.0005, 0.003, 0.005, 0.01, 0.02, 0.05, 0.07, 0.10).
Концентрация электронов оказалась примерно одинаковой для образцов
с разным содержанием железа $x$:
${n=(5.13\pm0.9)\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$. Наблюдаются биения амплитуд
осцилляции. Положения узлов биений зависят от температуры для кристаллов
с ${x=0.05}$, 0.07 и не меняются с температурой у остальных. Наблюдаемые
особенности объясняются зарядовым состоянием ионов железа и образованием
кластеров в кристалле с ${x=0.1}$.