Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb

М. Айдаралиев^a, Г. Г. Зегря^a, Н. В. Зотова^a, С. А. Карандашев^a, Б. А. Матвеев^a, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены теоретические и экспериментальные исследования пороговых токов InAsSbP/InAs и InAsSbP/ InAsSb лазеров на основе ДГС (двойных гетероструктур) в интервале температур 4.2$-$150 K. В расчетах использованы точные значения интегралов перекрытия, входящих в выражение для скорости оже-рекомбинации с участием спин-орбитально отщепленной зоны (CHHS-процесс), и непараболичность спектра носителей при больших значениях волнового вектора.
Показано, что в интервале 4.2$-$80 K имеет место межзонная излучательная рекомбинация, в то время как при более высоких температурах преобладает CHHS-процесс, определяющий квантовую эффективность и температурный предел работы лазеров.

Поступила в редакцию: 10.06.1991
Принята в печать: 18.07.1991