RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 2, страницы 232–245 (Mi phts4578)

Рамановские и ИК колебательные спектры в кристаллах TlGaS$_{2}$

Н. Н. Сырбу, В. Э. Львин, И. Б. Заднипру, Х. Нойманн, Х. Соботта, В. Риеде

Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо

Аннотация: Исследованы рамановское рассеяние в различных геометриях кристаллов TlGaS$_{2}$ и их температурные зависимости в области 77$-$400 K. Обнаружен фазовый переход, который приводит к изменениям поляризационных зависимостей колебательных мод, к расщеплению линий, ослаблению одних и возгоранию других колебательных мод с понижением температуры. Исследованы колебательные спектры отражения в области 4000$-$50 см$^{-1}$ и выделены полярные колебательные $LO$- и $TO$-моды и их основные параметры. Рассчитаны эффективный заряд Сигетти, динамический борновский заряд и относительный эффективный заряд анионов и катионов в поляризациях $E\parallela$ и $E\parallelb$ кристаллов TlGaS$_{2}$. Показано различие в степени ионности катионов и анионов по направлениям осей $a$ и $b$.

Поступила в редакцию: 08.07.1991
Принята в печать: 17.07.1991



© МИАН, 2026