RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 1, страницы 150–158 (Mi phts4566)

Влияние условий ионной имплантации на дефектообразование в кремнии

П. Жуковский


Аннотация: Продолжена и проанализирована феноменологическая модель, описывающая зависимость процессов дефектообразования от условий ионной имплантации. Приведены экспериментальные результаты исследования зависимостей процессов дефектообразования и аморфизации кремния при имплантации ионами ${}^{20}\text{Ne}^{+}$, ${}^{31}{\text P}^{+}$, ${}^{40}\text{Ar}^{+}$ и ${}^{84}\text{Kr}^{+}$ в интервале температур 120$-$500 K и плотностей ионного тока ${j=(0.5{-}4)}$ мкА/см$^{2}$. Проведен анализ экспериментальных результатов в рамках рассматриваемой модели. Определены основные характеристики дефектов, участвующих в аморфизации кремния.

Поступила в редакцию: 15.04.1991
Принята в печать: 29.08.1991



© МИАН, 2026