Получение и исследование пленок SiO$_{2}$, активированных полупроводниковыми нанокристаллами CdS

С. А. Гуревич, А. И. Екимов, И. А. Кудрявцев, А. В. Осинский, В. И. Скопина, Д. И. Чепик

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предлагается метод получения пленок SiO$_{2}$, активированных полупроводниковыми нанокристаллами CdS. Метод основан на напылении пленки из двух независимых источников. Исследованы спектры поглощения, люминесценции и резонансного комбинационного рассеяния. Показано, что в результате термообработки в пленке происходят образование и рост полупроводниковых нанокристаллов CdS хорошего качества.

Поступила в редакцию: 06.08.1991
Принята в печать: 09.08.1991