RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 1, страницы 89–94 (Mi phts4557)

Структура примесного центра марганца в антимониде галлия

Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. А. Смирнов, К. Ф. Штельмах

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты совместных исследований фотолюминесценции (ФЛ) и ЭПР антимонида галлия, легированного марганцем. Исследовавшиеся образцы обладали $p$-типом проводимости, концентрация свободных дырок при 77 K изменялась в пределах (${1.5\cdot 10^{16}\div 3\cdot 10^{18}}$) см$^{-3}$.
Показано, что ФЛ в продольном магнитном поле циркулярно поляризованна, в спектре ЭПР выделяются две линии с $g$-факторами (${\tilde{g}\sim 4}$, ${\tilde{g}\sim2}$). Предлагается модель примесного центра марганца в антимониде галлия [V$_{\text{Sb}}$ + Mn, ${3d^{5}+h}$], с помощью которого объясняются особенности ФЛ и ЭПР.

Поступила в редакцию: 22.07.1991
Принята в печать: 24.07.1991



© МИАН, 2026