RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 1, страницы 74–82 (Mi phts4555)

Поглощения на связанных и свободных экситонах в ZnP$_{2}{-}D^{8}_{4}$

Н. Н. Сырбу, В. И. Морозова, Г. И. Стратан

Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо

Аннотация: Исследованы спектры поглощения и модулированного по длине волны поглощения при 77 K, спектры люминесценции при 2 K нелегированных и легированных Sb кристаллов ZnP$_{2}{-}D_{4}^{8}$, а также температурные зависимости люминесценции. Показано, что при одних и тех же энергиях происходят непрямые переходы в различные ($B_{0}$, $C_{0}$ и $D_{0}$) связанные экситонные состояния с участием разных фононов. Спектры накладываются друг на друга, обусловливая сложную линейчатую структуру и создавая общий контур поглощения типа интерференционных спектров. Показано хорошее согласие энергий фононов с энергиями колебательных мод рамановского рассеяния, т. е. $\Gamma$-фононов, что свидетельствует о локализации экстремума $\upsilon$-зоны вблизи точки ${k=0}$ зоны Бриллюэна.

Поступила в редакцию: 16.07.1991
Принята в печать: 18.07.1991



© МИАН, 2026