Исследование электропереноса дырок в аморфном гидрированном кремнии методом фото-ВАХ

О. А. Голикова, Р. Г. Икрамов, М. М. Казанин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На основе анализа фото-ВАХ структур с барьерами Шоттки и pin-структур получены данные о $\mu\tau$ дырок в $a$-Si : H и плотности локализованных состояний $g(\varepsilon)$. Определена зависимость $\mu\tau$ от положения уровня Ферми в щели подвижности.

Поступила в редакцию: 02.07.1991
Принята в печать: 18.07.1991