Темновые токи в $p{-}n$-переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, К. Д. Мынбаев


Аннотация: Исследованы механизмы протекания тока в $p{-}n$-переходах, полученных методом ионнолучевого травления на объемных кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x\sim0.24}$). Анализ проведен на основе изучения вольт-амперных характеристик и удельного дифференциального сопротивления в диапазоне температур ${60\div200}$ K. Показано, что основными механизмами, определяющими токи в исследованных $p{-}n$-переходах при ${T>110}$ K, являются термоактивационные механизмы, а при ${60<T<110}$ K — межзонное туннелирование и туннелирование через локальные центры.