RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 10, страницы 1939–1942 (Mi phts452)

Краткие сообщения

Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар вблизи поверхности кристалла

В. Н. Стрекалов




© МИАН, 2026