RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 10,
страницы
1939–1942
(Mi phts452)
Краткие сообщения
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар вблизи поверхности кристалла
В. Н. Стрекалов
Полный текст:
PDF файл (625 kB)
©
МИАН
, 2026