Аннотация:
Приведены результаты исследования влияния марганца на спектр
фотолюминесценции антимонида галлия. Исследовавшиеся образцы обладали
$p$-типом проводимости, концентрация свободных дырок изменялась при 77 K
в пределах ${1.5\cdot10^{16}\div3\cdot 10^{18}}$ см$^{-3}$. Наблюдаемое
сужение запрещенной зоны GaSb с увеличением содержания марганца объясняется
учетом преимущественного вклада обменного взаимодействия дырок и их
взаимодействием с примесным потенциалом. Показано, что с увеличением содержания марганца происходит уширение основной
полосы краевой люминесценции, обусловленное размытием краев зон.
Температурный ход полуширины полосы излучения использован для определения
концентрации примесей и степени их компенсации.