RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 11, страницы 2024–2027 (Mi phts4512)

Влияние концентрации марганца на спектр фотолюминесценции GaSb

Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев


Аннотация: Приведены результаты исследования влияния марганца на спектр фотолюминесценции антимонида галлия. Исследовавшиеся образцы обладали $p$-типом проводимости, концентрация свободных дырок изменялась при 77 K в пределах ${1.5\cdot10^{16}\div3\cdot 10^{18}}$ см$^{-3}$. Наблюдаемое сужение запрещенной зоны GaSb с увеличением содержания марганца объясняется учетом преимущественного вклада обменного взаимодействия дырок и их взаимодействием с примесным потенциалом.
Показано, что с увеличением содержания марганца происходит уширение основной полосы краевой люминесценции, обусловленное размытием краев зон. Температурный ход полуширины полосы излучения использован для определения концентрации примесей и степени их компенсации.



© МИАН, 2026